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          vishay intertechnology 文章 進入vishay intertechnology技術社區

          Vishay推出旋鈕電位器,簡化工業和音頻應用設計并優化成本

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款內置旋鈕開關---P16F和PA16F,IP67密封的新型面板電位器。Vishay Sfernice P16F和PA16F電位器介電強度高達5000 VAC,+40 °C下額定功率為1 W,可用來簡化工業和音頻應用設計并優化成本。日前發布的器件在一個組件中集成了旋鈕和面板電位器,無需采購組裝單獨的旋鈕。此外,只有安裝硬件和端子位于面板背面,微型電位器面板背面所需間隙小于15 mm。PA16F采用導電塑料電阻芯,適用于音頻應
          • 關鍵字: Vishay  旋鈕電位器  

          Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業內先進水平,可顯著提高功率密度、能效和熱性能

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換,在提高功率密度和能效的同時,增強熱性能,減少元器件數量并簡化設計。日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
          • 關鍵字: Vishay  MOSFET  對稱雙通道  

          Vishay推出升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外收發器模塊,延長鏈路距離,提高抗ESD可靠性

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出適于IrDA?應用的升級版TFBS4xx和TFDU4xx系列紅外(IR)收發器模塊,鏈路距離延長20 %,抗ESD能力提高到2 kV。器件支持115.2?kbit/s 數據速率(SIR),鏈路距離為1米,適用于能量表和監控器、工業自動化控制、手機和醫療設備無線通信和數據傳輸。為提高便攜式設備電池使用壽命,模塊降低了功耗,閑置供電電流 < 70 μA,關斷模式 < 1 μA。Vishay Semicondu
          • 關鍵字: Vishay  紅外收發器模塊  抗ESD  

          Vishay推出的新款浪涌限流PTC熱敏電阻可提高有源充放電電路性能

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列浪涌限流正溫度系數(PTC)熱敏電阻---PTCEL。Vishay BCcomponents PTCEL系列器件25 °C(R25)條件下阻值范圍寬,具有高電壓處理和高能量吸收能力,可提高汽車和工業應用有源充放電電路的性能。日前發布的器件R25阻值為60 W至1 kW,500 W 最大額定直流電壓高達1000 VDC,1 kW 達1200 VDC,最大能量吸收能力達240 J,比競品器件高四倍。多個熱敏電阻并聯,能量吸收
          • 關鍵字: Vishay  浪涌限流  PTC熱敏電阻  有源充放電  

          Vishay推出采用改良設計的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導通和開關損耗

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術制造,為設計人員提供兩種業內先進的技術選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運輸、能源及工業應用大電流逆變級導通或開關損耗。日前發布的半橋器件使用節
          • 關鍵字: Vishay  INT-A-PAK  IGBT功率模塊  

          Vishay推出采用源極倒裝技術PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET

          • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝,10V柵極電壓條件下導
          • 關鍵字: Vishay  源極倒裝技術  PowerPAK  功率MOSFET  

          Vishay推出超小型高集成度的可見光敏感度增強型高速PIN光電二極管

          • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月1日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款全新可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704,擴充光電二極管產品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝,透明環氧樹脂感光度達業內先進水平,快速開關時間為70 ns,容值低至17.6 pF,適于可穿戴
          • 關鍵字: Vishay  可見光敏感度增強型  PIN光電二極管  

          Vishay推出新款全集成超小型接近傳感器,待機電流低至5 μA

          • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年1月25日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其光電子產品部推出全集成新型接近傳感器---VCNL36828P,提高消費類電子應用的效率和性能。Vishay Semiconductors VCNL36828P采用垂直腔面發射激光器(VCSEL),在2.0 mm x 1.0 mm x 0.5 mm小型表面貼裝封裝中集成光電二極管、專用集成電路(ASIC)、16位 ADC和智
          • 關鍵字: Vishay  接近傳感器  

          Vishay推出的新款10 MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統。日前發布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
          • 關鍵字: Vishay  低功耗光耦  

          Vishay推出的新款10MBd低功耗光耦,供電電流低至5mA,電壓范圍2.7V至5.5V

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款新型10 MBd低功耗高速光耦,有助于工業應用節能。單通道VOH260A、VOIH060A和VOWH260A及雙通道VOH263A和VOIH063A電壓范圍2.7 V至5.5 V,采用集電極開路輸出,適用于低壓微控制器、I2C和SPI總線系統。日前發布的Vishay Semiconductors器件將高效輸入LED與集成的可編程輸出光電檢測器邏輯門結合在DIP-8、SMD-8和 SOIC-8封裝中。光耦每通道最大供電電流僅
          • 關鍵字: Vishay  10MBd  低功耗光耦  

          Vishay IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執行器榮獲AspenCore全球電子成就獎

          • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其經過AEC-Q200認證的IHPT-1411AF-ABA觸控反饋執行器獲得2023年度AspenCore全球電子成就獎(World Electronics Achievement Award)“年度高性能被動電子/分立器件獎”。該器件適用于LCD顯示屏、觸摸屏和觸摸開關面板等各種12 V車載應用。器件采用小型兩件式結構,帶安裝孔,便于安裝和直接操作,具有高沖擊脈沖和振動傳遞能力,可在嘈雜的環境下提供清晰的觸覺反饋。由電子技術領域
          • 關鍵字: Vishay  觸控反饋執行器  

          Vishay推出SuperTan鉭殼液鉭電容器,抗沖擊和耐振動能力達到高可靠性應用H級標準

          美國芯片公司Vishay將收購安世半導體紐波特晶圓廠

          • 11月8日,美國芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導體(Nexperia)宣布,雙方已經達成協議,Vishay將以1.77億美元現金收購Nexperia位于英國南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關業務。紐波特晶圓廠交易需接受英國政府審查,并符合第三方購買權和慣例成交條件,預計將于2024年第一季度完成。資料顯示,紐波特晶圓廠是一家200mm半導體晶圓廠,經過汽車認證,主要供應汽車市場。占地28英畝,是英國規模最大的半導體制造廠。Vishay總裁兼首席執行官Joel Smejkal表示
          • 關鍵字: Vishay  安世半導體  晶圓廠  

          貿澤聯手Vishay推出全新電子書探討支持新一代工業4.0的技術

          • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯手推出全新電子書《The Next Generation of Industry 4.0》(新一代工業4.0),分析了支持新一代工業4.0解決方案的技術和元件。書中,Vishay和貿澤深入探討了為全球工廠帶來變革的自動化浪潮,以及這種浪潮背后起到支持作用的關鍵解決方案。本電子書收錄了四篇詳細的專題文章,介紹了支持新一代工業應用的數字元件,此外還包含一張展望未來工業5.0的實用信息圖。
          • 關鍵字: 貿澤  Vishay  工業4.0  

          使用鉭電容器的引爆系統與傳統雷管對比有何優勢?

          • 與任何電子設備一樣,引爆系統需要內部電源為系統控制器 (MCU) 供電并為點火電容充電。為了確保正確定時、可靠引爆,需要使用電容器作引爆元件的儲能器件。與其他電容技術相比,模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲存電荷(低漏電流),能量密度高,是電子引爆系統的理想選擇,可留出更多時間,釋放更大電壓確保正確起爆。對于開發和制造電子引爆系統以滿足采礦應用需求的公司,本文將為大家介紹鉭電容器技術的優勢。對于現代引爆系統來說,模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個主要優點。首先,與鋁電解電容器不同,它們具有這些小型系統所
          • 關鍵字: Vishay  鉭電容器  
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